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Marca: Diversas

COD:Transistor 2N4403

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RoHS: N Estilo de montagem: Through Hole Caixa / Gabinete: TO-92-3 Polaridade do transistor: PNP Configuração: Single Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 40 V Coletor VCBO de voltagem básica: 40 V Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V Tensão de saturação do coletor - emissor: 0.75 V Corrente do coletor DC máxima: 0.6 A Pd - Dissipação de potência: 625 mW Produto fT da largura de banda de ganho: 200 MHz Temperatura operacional mínima: - 65 C Temperatura operacional máxima: + 150 C Embalagem: Bulk Altura: 5.33 mm Comprimento: 5.2 mm Tecnologia: Si Largura: 4.19 mm Marca: ON Semiconductor Tensão do coletor contínua: 0.6 A Coletor DC/Ganho base hfe Min: 30 Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors

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